硅片的生产通常有哪几个步骤？

碳化硅衬底生产通常有以下几个步骤：

1）长晶：有物理气相法（PVT）、化学气相沉积法（HTCVD）和液态法（LPE）。物理气相传输法是目前技术很成熟的碳化硅单晶生长方法，也是研究、开发和生产大尺寸SIC单晶的主要方法，国内外多家企业已经实现6-8英寸碳化硅单晶的产业化生产，但该方法生产的sic单晶仍然存在相当数量的缺陷，如微管、位错、寄生、多型等等，导致sic单晶片的价格十分昂贵。鉴于PVT法的一些问题，近几年液态法生长碳化硅是得到越来越的重视，基本原理是碳（溶质）被溶解在硅和助溶剂组成的高温溶剂液体中，碳（溶质）因过饱和而在碳化硅籽晶处析出，同时因晶格库伦场的作用携带出硅原子，实现碳化硅晶体的生长。该方法具有生长温度低，结晶质量高、生长速度快，可以在短时间内生长出尺寸达数厘米级的大尺寸碳化硅单晶，通过严格控制反应条件，可以生长出高质量、低缺陷度的晶体，此外，液相生长法还可以制备不同形状和结构的碳化硅单晶片，如平板、立方体、三棱柱等。

2）切片：生长好的碳化硅单晶棒需要切除头尾料，然后滚磨成所需的直径大小，切平边或者V槽后，再切成衬底片。目前通常用砂浆线切割和金刚石线切割技术。

3）研磨：切片后需要通过研磨来去除切割面的损伤层，以保障衬底片表面的质量，大概去除50um。

4）腐蚀：腐蚀是为了进一步去除切割和研磨造成的损伤层，以便为一下步的抛光工艺做好准备。腐蚀通常有碱腐蚀和酸腐蚀，目前由于环保因素，大多数都采用碱腐蚀。腐蚀的去除量会达到30-40um，表面粗糙度也可以达到微米级。

5）抛光：抛光是衬底片生产的一道重要工艺，抛光是通过CMP（Chemical Mechanical Polished ）技术进一步提高硅片的表面质量，使其达到生产芯片的要求，抛光后表面粗糙度通常Ra<5A。

6）清洗包装：由于集成电路线宽越来越小，因此对提高的颗粒度指标要求也越来越高，清洗包装也是硅片生产的一道重要工艺，通过超声清洗能够洗净附着在硅片表面>0.3um以上的大部分颗粒，再通过免清洗的卡塞盒真空密封包装或者冲惰性气体包装，从而使硅片表面的洁净度达到集成电路的要求。