常见问题
碳化硅（SiC）晶体是一种重要的宽禁带半导体材料，具有优良的半导体特性，在电力电子、光电、高功率微波等领域具有重要的应用。以碳化硅衬底材料制备出的一系列半导体器件，例如金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）、高电子迁移率晶体管（HEMET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）等在电力电子、光电子、5G 通讯和高功率微波等领域已展开了大规模的应用，其优良的性能在新型电子器件领域引起了革命性的改变。碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光后形成碳化硅晶片，也称碳化硅衬底片。
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