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碳化硅(SiC)有250种结晶形态，其中4H-SiC的禁带宽度较大、载流子迁移率较高、掺杂剂离化能力较低，是很适合制作功率器件的晶型。根据电阻率不同，SiC衬底可分为导电型和半绝缘型。SiC单晶生长完成后，通过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工可形成SiC衬底片。其中，半绝缘型SiC衬底主要应用于微波射频器件等领域；而导电型SiC衬底主要应用于制造功率器件。
4H-SiC单晶的生长方法有物理气相传输法(PVT法)、高温化学气相沉积法(HTCVD法)和液相法(LPE法)等，以PVT为主流。
时间
PVT
HT-CVD
LPE
晶型
4H&6H
4H&6H
4H&6H
生长温度(°C)
2200-2500
2200
1460-1800
生长(mm/h)
0.2-0.4
0.3-1.0
0.5-2
优点
很成熟、很常用
可持续的原料/可调整参数/一体化设备
类似提拉法
缺点
半绝缘制造困难
生长厚度受限
缺少一体化设备
速率和缺陷控制
金属杂质，硅溶液碳的溶解度有限
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