SiC分类、应用及关键工艺

碳化硅(SiC)有250种结晶形态，其中4H-SiC的禁带宽度较大、载流子迁移率较高、掺杂剂离化能力较低，是很适合制作功率器件的晶型。根据电阻率不同，SiC衬底可分为导电型和半绝缘型。SiC单晶生长完成后，通过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工可形成SiC衬底片。其中，半绝缘型SiC衬底主要应用于微波射频器件等领域；而导电型SiC衬底主要应用于制造功率器件。

4H-SiC单晶的生长方法有物理气相传输法(PVT法)、高温化学气相沉积法(HTCVD法)和液相法(LPE法)等，以PVT为主流。