SiC分类、应用及关键工艺

碳化硅单晶

SiC已是一种公认的在中高压领域能够可靠替代硅的技术，许多电源模块和电源逆变器制造商已在产品路线图中导入了SiC技术，SiCMOSFET器件更是被誉为新能源汽车电机控制器等领域的“硬通货”。但是，SiC器件还处于发展初期，从粉末、晶锭、衬底、外延、芯片、封装测试和模组制造，乃至终端应用都存在许多问题需要完善，尤其是车规级SiCMOSFET,仍需要继续优化衬底缺陷、栅氧可靠性等关键点。

半导体材料

半导体的电阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围。在一般情况下，半导体电导率随温度的升高而降低。凡具有上述两种特征的材料都可归入半导体材料的范围。构成固态电子器件的基体材料绝大多数是半导体，正是这些半导体材料的各种半导体性质赋予各种不同类型半导体器件以不同的功能和特性。

什么是碳化硅晶片？

芜湖予秦半导体科技有限公司晶体材料研发及产业化项目 环境影响报告书征求意见稿公示